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BiCS5是威騰電子目前密度最高、最先進的3D NAND技術。第二代多層儲存通孔技術、優化的工程設計流程及其他先進的3D NAND儲存單元技術大幅提升晶圓的橫向儲存單元陣列密度。此外,BiCS5擁有112層垂直堆疊的儲存容量,使每晶圓的儲存容量比96層的BiCS4高出40%,可達到最佳成本;新架構設計也為BiCS5挹注更高效能,使其I/O效能較BiCS4提高50%。

BiCS5是由威騰電子與合作夥伴鎧俠(Kioxia,前東芝記憶體)共同開發,万博代理怎么申请將於日本三重縣四日市及岩手縣北上市的合資晶圓廠製造。

請繼續往下閱讀... BiCS5採用三層單元(TLC)與四層單元(QLC)兩種架構,因性價比、效能與穩定性等滿足因連網汽車、行動裝置與人工智慧而急速增長的資料量需求。未來,BiCS5 TLC與BiCS5 QLC將提供包括1.33Tb等多樣的儲存容量選擇。

▲威騰電子與鎧俠推第五代3D NAND技術BiCS5万博体育代理微信。(圖/業者提供)

記者周康玉/台北報導威騰電子(Western Digital)今(24)日宣布成功開發出第五代3D NAND技術BiCS5,目前已開始生產512Gb的BiCS5 TLC,並預計在2020年下半年就能開始商業化量產。

威騰電子與鎧俠推第五代3D NAND技術BiCS5 下半年量產

威騰電子記憶體技術與製造部門資深副總裁Steve Paak博士表示,BiCS5利用更先進的多層儲存通孔(multi-tier memory hole)技術來增加橫向儲存密度,同時透過增加儲存層讓3D NAND技術的容量與效能顯著提升,以滿足客戶對穩定性與低成本的期望。重庆快乐十分规则

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本文来源:重庆快乐十分规则 责任编辑:新万博代理怎么做 2020年02月24日 22:55:51

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